Титульные страницы и содержание
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116710 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 1-4. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116710 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167102020-10-08T23:40:53Z Титульные страницы и содержание 2012 Article Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 1-4. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116710 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Титульные страницы и содержание |
| spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| title_short |
Титульные страницы и содержание |
| title_full |
Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
| title_sort |
титульные страницы и содержание |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2012 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116710 |
| citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2012. — Вип. 47. — С. 1-4. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| first_indexed |
2025-07-08T10:55:43Z |
| last_indexed |
2025-07-08T10:55:43Z |
| _version_ |
1837075943139573760 |
| fulltext |
ÍÀÖÈÎÍÀËÜÍÀß
ÀÊÀÄÅÌÈß ÍÀÓÊ
ÓÊÐÀÈÍÛ
ÈÍÑÒÈÒÓÒ
ÔÈÇÈÊÈ
ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂ
èì. Â.Å. ËÀØÊÀÐÅÂÀ
ÊÈÅÂ
ÍÀÓÊÎÂÀ ÄÓÌÊÀ
2012
Õìèëü Ä.Í., Êàìóç À.Ì., Îëåêñåíêî Ï.Ô., Êàìóç Â.Ã., Àëåêñåíêî Í.Ã., Êàìóç Î.À.
Ëþìèíîôîðû â áåëûõ ñâåòîäèîäàõ: ïðåèìóùåñòâà è íåäîñòàòêè (îáçîð) ............................ 5
Îõðèìåíêî Î.Á. Âëèÿíèå áóôåðíîãî ñëîÿ ïîðèñòîãî êàðáèäà êðåìíèÿ íà
ôîðìèðîâàíèå ãðàíèöû ðàçäåëà ñ îêñèäíûì ñëîåì (îáçîð) ......................................... 24
Óøåíèí Þ.Â., Õðèñòîñåíêî Ð.Â., Ñàìîéëîâ À.Â., Äîðîæèíñêèé Ã.Â., Êàãàíî-
âè÷ Ý.Á., Ìàíîéëîâ Ý.Ã., Ñíîïîê Á.À. Îïòîýëåêòðîííûå ñåíñîðíûå ñòðóêòóðû íà
îñíîâå ïëåíîê ïîðèñòîãî îêñèäà àëþìèíèÿ, ïîëó÷åííûõ èìïóëüñíûì ëàçåðíûì
îñàæäåíèåì ........................................................................................................................ 40
Áàðàíñüêèé Ï.²., Ãàéäàð Ã.Ï. Ïðî îñîáëèâîñò³ àí³çîòðîﳿ òåðìîåëåêòðè÷íèõ
åôåêò³â ó íàï³âïðîâ³äíèêàõ, ïîâ�ÿçàíî¿ ç³ ñïåöèô³êîþ ïðîÿâó áàãàòüîõ äîëèí ......... 46
Äàíüêî Â.À., ²íäóòíèé ².Ç., Ìèíüêî Â.²., Øåïåëÿâèé Ï.ª., Ëèòâèí Î.Ñ.,
Ëóêàíþê Ì.Â. ²íòåðôåðåíö³éíà ôîòîë³òîãðàô³ÿ íà îñíîâ³ åôåêòó ôîòîòðàâëåííÿ
â òîíêèõ øàðàõ õàëüêîãåí³äíèõ ñòåêîë .......................................................................... 51
Âåíãåð ª.Ô., Ãîëîòþê Â.Ì., Ãîðáà÷ Ò.ß., Ïàí³í À.²., Ñìåðòåíêî Ï.Ñ. Ñåíñè-
á³ë³çàö³ÿ òà ôóíêö³îíàë³çàö³ÿ ïîâåðõí³ òà ñòðóêòóð Si ñîíÿ÷íèõ åëåìåíò³â ................ 59
Êðóêîâñüêèé Ñ.²., Ñóêà÷ À.Â., Òåòüîðê³í Â.Â., Ìðèõ³í ².Î., Ìèõàùóê Þ.Ñ. Ôîòî-
åëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³ ïîäâ³éíèõ ãåòåðîïåðåõîä³â p+-InP/n-InGaAsP/n-InP ......................64
ÑÁÎÐÍÈÊ ÍÀÓ×ÍÛÕ ÒÐÓÄΠÂÛÏÓÑÊ 47
ÎÑÍÎÂÀÍ Â 1982 ã.
Êîñòþêåâè÷ Å.Â., Õðèñòîñåíêî Ð.Â., Óøåíèí Þ.Â., Ñàìîéëîâ À.Â., Êîñòþ-
êåâè÷ Ñ.À. Èììóíîñåíñîð ïîâåðõíîñòíîãî ïëàçìîííîãî ðåçîíàíñà ñ ïîâûøåííîé
÷óâñòâèòåëüíîñòüþ è ñòàáèëüíîñòüþ äëÿ äåòåêòèðîâàíèÿ ôèáðèíîãåíà, ðàñòâî-
ðèìîãî ôèáðèíà è D-äèìåðà â ïëàçìå êðîâè ÷åëîâåêà .................................................... 70
Âåíãåð Å.Ô., Ãîòîâû È., Øåõîâöîâ Ë.Â. Äåãðàäàöèÿ êîíòàêòà Øîòòêè ïðè
òåðìè÷åñêîì îòæèãå ......................................................................................................... 77
Ìàëàíè÷ Ã.Ï., Ñóêà÷ À.Â., Òåòüîðê³í Â.Â., Âîðîùåíêî À.Ò., Êðàâåöüêèé Ì.Þ.,
Ïàâëîâè÷ ².². Åëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³ ñòðóêòóð In/p-PbTe ............................................ 84
Êàïóø Î.À., Òð³ùóê Ë.²., Òîìàøèê Â.Ì., Òîìàøèê Ç.Ô., Áàá³÷óê ².Ñ., Áî-
ðóê Ñ.Ä. Âïëèâ ñòàá³ë³çàòîð³â íà çàêîíîì³ðíîñò³ ôîðìóâàííÿ íàíîêðèñòàë³â
CdTe â êîëî¿äíèõ ðîç÷èíàõ ............................................................................................. 91
Ìèõàéëîâñêàÿ Å.Â., Äàíüêî Â.À., Èíäóòíûé È.Ç., Øåïåëÿâûé Ï.Å. Êèíåòèêà
ôîòîëþìèíåñöåíöèè ïîðèñòûõ nc-Si�SiOõ-ñòðóêòóð .................................................. 97
3
CONTENT
Khmil D.N., Kamuz A.M., Oleksenko P.Ph., Kamuz V.G., Aleksenko N.G., Kamuz O.A.
Luminophor in white LEDs: advantages and disadvantages (review) .................................... 5
Okhrimenko O.B. Effåct of buffer layer of porous silicon carbide on the interface
with the oxide layer (review) .............................................................................................. 24
Ushenin Yu.V., Khristosenko R.V., Samoilov A.V., Dorozinsky G.V., Kagano-
vich E.B., Manoilov E.G., Snopok B.A. Optoelektronic sensor structure based on po-
rous alumina films formed by pulsed laser deposition ........................................................ 40
Baranskii P.I., Gaidar G.P. About peculiarities of the anisotropy of thermoelectric
effects in semiconductors, connected with the specific manifestations of many valleys....... 46
Dan�ko V.A., Indutnyi I.Z., Min�ko V.I., Shepeliavyi P.E., Litvin O.S., Lukanyuk M.V.
Photoinduced etching of thin films of chalcogenide glasses ............................................... 51
Venger E.F., Golotyuk V.M., Gornach T.Ya., Panin A.I., Smertenko P.S. Sensitiza-
tion and Functionalization of Surfase and Structures of Si Solar Cells ............................... 59
Krukovskiy S.I., Sukach A.V., Tetyorkin V.V., Mryhin I.O., Myhaschuk Yu.S.
Photoelectrical properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions ................ 64
Kostyukevych K.V., Khristosenko R.V., Ushenin Yu.V., Samoylov A.V., Kostyu-
kevych S.A. Surface plasmon resonance immunosensor with increased sensitivity and
stability to detect fibrinogen, solved fibrin and D-dimer in human blood plasma .............. 70
Venger E.F., Hotovy I., Shekhovtsov L.V. Schottky contact degradation at thermal
annealing ............................................................................................................................ 77
Malanych G.P., Sukach A.V., Tetyorkin V.V., Voroschenko A.T., Kravetskii M.Yu.,
Pavlovych I.I. Electrical properties of In/p-PbTe structures ............................................... 84
Kapush O.A., Trishchuk L.I., Tomashik V.M., Tomashik Z.F., Babichuk I.S.,
Boruk S.D. Effect of stabilizers on the regularities of CdTe nanocrystals formation in
colloidal solutions ............................................................................................................... 91
Michailovska E.V., Dan�ko V.A., Indutnyi I.Z., Shepeliavyi P.E. Kinetic of photo-
luminescence of porous nc-Si�SiOx structures .................................................................. 97
|