Титульные страницы и содержание
Gespeichert in:
| Datum: | 2013 |
|---|---|
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Schriftenreihe: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116723 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 1-4. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116723 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167232020-10-08T23:43:37Z Титульные страницы и содержание 2013 Article Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 1-4. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116723 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| format |
Article |
| title |
Титульные страницы и содержание |
| spellingShingle |
Титульные страницы и содержание Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| title_short |
Титульные страницы и содержание |
| title_full |
Титульные страницы и содержание |
| title_fullStr |
Титульные страницы и содержание |
| title_full_unstemmed |
Титульные страницы и содержание |
| title_sort |
титульные страницы и содержание |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116723 |
| citation_txt |
Титульные страницы и содержание // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 1-4. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| first_indexed |
2025-07-08T10:56:55Z |
| last_indexed |
2025-07-08T10:56:55Z |
| _version_ |
1837076019094224896 |
| fulltext |
95-ð³÷÷þ
Íàö³îíàëüíî¿
àêàäå쳿 íàóê Óêðà¿íè
ïðèñâÿ÷óºòüñÿ
ÓÄÊ 621.382
Ïðåäñòàâëåíû ðàáîòû ïî èññëåäîâàíèÿì ýëåìåíòîâ ïîëóïðîâîäíèêîâîé òåõíèêè
è ýëåìåíòîâ ðàäèîýëåêòðîííûõ óñòðîéñòâ íà ïîëóïðîâîäíèêàõ è äèýëåêòðèêàõ, ïî
îïòîýëåêòðîíèêå è ìèêðîýëåêòðîíèêå, íàíîòåõíîëîãèÿì è íàíîýëåêòðîíèêå. Àíàëè-
çèðóþòñÿ õàðàêòåðèñòèêè ïîëóïðîâîäíèêîâûõ ïðèáîðîâ è ìàòåðèàëîâ, à òàêæå âëèÿ-
íèå íà íèõ ðàçëè÷íûõ âîçäåéñòâèé.
Äëÿ íàó÷íûõ ðàáîòíèêîâ, àñïèðàíòîâ è èíæåíåðîâ, ðàáîòàþùèõ â îáëàñòè ïîëó-
ïðîâîäíèêîâîé òåõíèêè è îïòîýëåêòðîíèêè, à òàêæå ñòóäåíòîâ ñòàðøèõ êóðñîâ ôè-
çè÷åñêèõ è ðàäèîôèçè÷åñêèõ ôàêóëüòåòîâ.
Ïîäàíî ïðàö³ ç äîñë³äæåíü åëåìåíò³â íàï³âïðîâ³äíèêîâî¿ òåõí³êè òà åëåìåíò³â
ðàä³îåëåêòðîííèõ ïðèñòðî¿â íà íàï³âïðîâ³äíèêàõ ³ ä³åëåêòðèêàõ, ç îïòîåëåêòðîí³êè ³
ì³êðîåëåêòðîí³êè, íàíîòåõíîëîã³é òà íàíîåëåêòðîí³êè. Àíàë³çóþòüñÿ õàðàêòåðèñòèêè
íàï³âïðîâ³äíèêîâèõ ïðèëàä³â ³ ìàòåð³àë³â, à òàêîæ âïëèâ íà íèõ ð³çíîìàí³òíèõ ÷èí-
íèê³â.
Äëÿ íàóêîâèõ ñï³âðîá³òíèê³â, àñï³ðàíò³â òà ³íæåíåð³â, ÿê³ ïðàöþþòü ó ãàëóç³ íà-
ï³âïðîâ³äíèêîâî¿ òåõí³êè òà îïòîåëåêòðîí³êè, à òàêîæ ñòóäåíò³â ñòàðøèõ êóðñ³â ô³çè-
÷íèõ òà ðàä³îô³çè÷íèõ ôàêóëüòåò³â.
Papers on the elements of semiconductor technique and technology, optoelectronics
and microelectronics, nanotechnologies and nanoelectronics, elements of radioelectronic
devices on the base of semiconductors and dielectrics, characteristics of semiconductor de-
vices and materials and also influence of different factors on them are presented.
For scientists, post-graduate students, and engineers working in the field of semicon-
ductor technology and technique and optoelectronics and also for the third-fifth year stu-
dents of physical and radiophysical faculties.
Ðåäàêöèîííàÿ êîëëåãèÿ:
Ñ.Â. ÑÂÅ×ÍÈÊΠ(ãëàâíûé ðåäàêòîð),
Ê.Ä. ÃËÈÍ×ÓÊ (çàìåñòèòåëü ãëàâíîãî ðåäàêòîðà),
Ç.Ê. ÂËÀÑÅÍÊÎ (îòâåòñòâåííûé ñåêðåòàðü),
Í.À. ÂËÀÑÅÍÊÎ, Ñ.À. ÂÎÐÎÍÎÂ, Ñ.Â. ÄÅÍÁÍÎÂÅÖÊÈÉ,
Ð.Â. ÊÎÍÀÊÎÂÀ, Â.Â. ÊÎÂÀËÜ, Â.Ã. ËÈÒÎÂ×ÅÍÊÎ, Â.Ê. ÌÀËÞÒÅÍÊÎ,
Ï.Ô. ÎËÅÊÑÅÍÊÎ, Â.È. ÎÑÈÍÑÊÈÉ, À.Â. ÑÒÐÎÍÑÊÈÉ
Àäðåñ ðåäêîëëåãèè:
03028, Êèåâ 28, ïðîñïåêò Íàóêè, 41
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â.Å. Ëàøêàðåâà ÍÀÍ Óêðàèíû
Òåëåôîíû: 525 6373, 525 6205
Óòâåðæäåíî ê ïå÷àòè ó÷åíûì ñîâåòîì
Èíñòèòóòà ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ èì. Â.Å. Ëàøêàðåâà ÍÀÍ Óêðàèíû
Ñâèäåòåëüñòâî î ãîñóäàðñòâåííîé ðåãèñòðàöèè Ñåð. ÊÂ ¹ 12257-141 Ð, 30.01.07
Íàó÷íî-èçäàòåëüñêèé îòäåë ôèçèêî-ìàòåìàòè÷åñêîé è òåõíè÷åñêîé ëèòåðàòóðû
Ðåäàêòîð Î.À. Ìèêèòåíêî
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â.Å. Ëàøêàðåâà ÍÀÍ Óêðàèíû, 2013
ÍÀÖÈÎÍÀËÜÍÀß
ÀÊÀÄÅÌÈß ÍÀÓÊ
ÓÊÐÀÈÍÛ
ÈÍÑÒÈÒÓÒ
ÔÈÇÈÊÈ
ÏÎËÓÏÐÎÂÎÄÍÈÊÎÂ
èì. Â.Å. ËÀØÊÀÐÅÂÀ
ÊÈÅÂ
ÍÀÓÊÎÂÀ ÄÓÌÊÀ
2013
Ñà÷åíêî À.Â., Áåëÿåâ À.Å., Áîëòîâåö Í.Ñ., Êîíàêîâà Ð.Â., Øåðåìåò Â.Í. Ìå-
õàíèçìû ôîðìèðîâàíèÿ êîíòàêòíîãî ñîïðîòèâëåíèÿ â îìè÷åñêèõ êîíòàêòàõ ñ
áîëüøîé ïëîòíîñòüþ äèñëîêàöèé (îáçîð) ...................................................................... 5
Ñòðîíñüêèé Î.Â., Òåëüá³ç Ã.Ì., Îëåêñåíêî Ï.Ô. Âëàñòèâîñò³ ³ çàñòîñóâàííÿ
õàëüêîãåí³äíèõ ñòåêîë. ×àñòèíà I (îãëÿä) ..................................................................... 30
Áàðàíñüêèé Ï.²., Ãàéäàð Ã.Ï. Ô³çè÷í³ ôàêòîðè, ùî çóìîâëþþòü àí³çîòðîï³þ
òåðìîÅÐÑ ³ àí³çîòðîï³þ ðóõëèâîñò³ â áàãàòîäîëèííèõ íàï³âïðîâ³äíèêàõ ......................... 54
Ôåä÷åíêî À.Í., Âàõóëà À.À., Êóêëà À.Ë., Äðàïàéëî À.Á., Õàð÷åíêî Ñ.Ã., Âèøíåâ-
ñêèé Ñ.Ã., Ìàòâèåíêî Ë.Ì. Èñïîëüçîâàíèå êîìïîçèòíûõ êàëèêñàðåíîâûõ ïëå-
íîê äëÿ îïòîýëåêòðîííîãî êîëîðèìåòðè÷åñêîãî äåòåêòèðîâàíèÿ ãàçîâ .................... 60
Äåíèñîâà Ç.Ë., Îëåêñåíêî Ï.Ô., Áåðåæíèöêàÿ À.Ñ., Ôåäîðîâ ß.Â., Âåëèãóðà Ë.È.,
Ñòðîíñêèé À.Â., Òðóíîâà Å.Ê. Ïîëó÷åíèå è õàðàêòåðèñòèêè òîíêèõ ïëåíîê ìåòàë-
ëîïîëèìåðà ñ êîîðäèíàöèîííûìè êîìïëåêñàìè ðåäêîçåìåëüíûõ ýëåìåíòîâ .......... 69
Ñòðåëü÷óê Â.Â., Íèêîëåíêî À.Ñ., Êàãàíîâè÷ Ý.Á., Êðèùåíêî È.Ì., Ìàíîé-
ëîâ Ý.Ã. Ñïåêòðû êîìáèíàöèîííîãî ðàññåÿíèÿ ñâåòà ïîðèñòûõ íàíîêîìïîçèò-
íûõ ïëåíîê îêñèäà àëþìèíèÿ ñ Si êâàíòîâûìè òî÷êàìè ........................................... 73
Êàïóø Î.À., Òð³ùóê Ë.²., Ìàçàð÷óê ².Î., Òîìàøèê Â.Ì., Òîìàøèê Ç.Ô., Ìîðîçîâñü-
êà Â.É., Êóðèê À.Î. Âïëèâ óìîâ ñèíòåçó íà ôîòîëþì³íåñöåíòí³ âëàñòèâîñò³ íà-
íî÷àñòèíîê CdS ó êîëî¿äíèõ ðîç÷èíàõ ......................................................................... 82
ÑÁÎÐÍÈÊ ÍÀÓ×ÍÛÕ ÒÐÓÄΠÂÛÏÓÑÊ 48
ÎÑÍÎÂÀÍ Â 1982 ã.
Âàêàðþê Ò.ª., Ãðîìîâîé Þ.Ñ., Äàíüêî Â.À., Äîðîæèíñüêèé Ã.Â., Çèíüî Ñ.À., ²íäóò-
íèé ².Ç., Ñàìîéëîâ À.Â., Óøåí³í Þ.Â., Õðèñòîñåíêî Ð.Â., Ùåïåëÿâèé Ï.ª. Âèêîðè-
ñòàííÿ ïîðóâàòèõ ïë³âîê SiOx â ñåíñîðàõ íà îñíîâ³ ïîâåðõíåâîãî ïëàçìîííîãî
ðåçîíàíñó ......................................................................................................................... 89
Ñóêà÷ À.Â., Òåòüîðê³í Â.Â., ²âàùåíêî Â.²., Ïîðàäà Î.Ê., Êîçàê À.Î., Òêà-
÷óê À.²., Âîðîùåíêî À.Ò. Åëåêòðè÷í³ òà ôîòîåëåêòðè÷í³ âëàñòèâîñò³ ãåòåðîïåðå-
õîä³â à-SiCN/c-Si ............................................................................................................ 96
Êðåòóë³ñ Â.Ñ., ̳íàêîâà ².ª., Îëåêñåíêî Ï.Ô. Îïòîåëåêòðîííèé äàò÷èê ìå-
òåîðîëîã³÷íî¿ äàëüíîñò³ âèäèìîñò³ .............................................................................. 105
Îë³õ ß.Ì. Ïðî àêóñòîñòèìóëüîâàíó ñàìîîðãàí³çàö³þ äåôåêòíî-äîì³øêîâèõ
ñòðóêòóð íàï³âïðîâ³äíèêà â ïðîöåñ³ éîííî¿ ³ìïëàíòàö³¿ ........................................... 113
Êîñòþêåâè÷ Å.Â., Êîñòþêåâè÷ Ñ.À., Øåïåëÿâûé Ï.Å. Ðåêîíñòðóêöèÿ ïîâåðõ-
íîñòè ïîëèêðèñòàëëè÷åñêèõ ïëåíîê çîëîòà ïîä âëèÿíèåì òåìïåðàòóðíîãî îò-
æèãà ................................................................................................................................ 121
Ñóêà÷ À.Â., Òåòüîðê³í Â.Â., Òêà÷óê À.²., Âîðîùåíêî À.Ò., Êðàâåöüêèé Ì.Þ.,
Ëóöèùèí ².Ã. Ìåõàí³çìè ïåðåíåñåííÿ çàðÿäó â ïîë³êðèñòàë³÷íèõ ñàíäâ³÷-ñòðóê-
òóðàõ ð+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe �................................................................................... 130
Êàðàñü Í.È. Âëèÿíèå îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ íà îòðèöàòåëüíóþ ôîòîïðîâî-
äèìîñòü â ñòðóêòóðàõ ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ ......................................................... 136
CONTENTS
Sachenko A.V., Belyàev A.E., Boltovets N.S., Konakova R.V., Sheremet V.N. Mecha-
nisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density
(review) ............................................................................................................................... 5
Stronski A.V., Telbiz G.M., Oleksenko P.F. Properties and applications of chalco-
genide glasses. Pt. I (review) ............................................................................................. 30
Baranskii P.I., Gaidar G.P. Physical factors that cause the anisotropy of ther-
moelectromotive and the anisotropy of mobility in multivalley semiconductors ............... 54
Fedchenko A.N., Vahula A.A., Kukla A.L., Drapailo A.B., Harchenko S.G., Vish-
nevsky S.G., Matvienko L.M. Utilization of composite calixarene films of metal-
polymer with the coordination complexes of rare earth elements ..................................... 60
Denisova Z.L., Oleksenko P.F., Berezhnitskaya A.S., Fedorov Ya.V., Veligura L.I.,
Stronski A.B., Trunova E.K. Fabrication and characterictics of the thin films of meta-
lopolymer with the coordination complexes of rare earth elements ................................... 69
Strelchuk V.V., Nikolenko A.S., Kaganovich E.B., Krishenko I.M., Manoilov E.G.
The Raman spectra of porous alumina nanocomposite films with Si quantum dots ......... 73
Kapush O.A., Trishchuk L.I., Mazarchuk I.O., Tomashik V.M., Tomashik Z.F., Moro-
zovsky V.Y., Kuryk A.O. Influence of conditions for synthesis of CdS nanoparticles in
colloidal solutions on their photoluminescence properties ................................................ 82
Vakaryuk T.E., Gromovoy Yu.S., Dan�ko V.A., Dorozinsky G.V., Zinyo S.A., Indut-
nyy I.Z., Samouylov A.V., Ushenin Yu.V., Khristosenko R.V., Shepeliavyi P.E. The use
of porous SiOx films in sensors based on surface plasmon resonance ................................ 89
Sukach A.V., Tetorkin V.V., Ivashchenko V.I., Porada O.K., Kozak A.O., Tkachuk A.I.,
Voroschenko A.T. Electrical and photoelectrical properties of a-SiCN/c-Si heterojunc-
tions .................................................................................................................................. 96
Kretulis V.S., Minakova I.E., Oleksenko P.F. Optoelectronic sensor of meteoro-
logical visibility ................................................................................................................ 105
Olikh Ya.M. About ultrasound-stimulated a self-organization of defect structures
in semiconductors during ion implantation ..................................................................... 113
Kostyukevych E.V., Kostyukevych S.A., Shepeliavyi P.E. Surface reconstruction of
polycrystalline gold films under the influence of thermal annealing ................................ 121
Sukach A.V., Tetyorkin V.V., Tkachuk A.I., Boroschenko A.T., Kravetskii M.Yu.,
Lutsyshyn I.G. Carrier transport mechanisms in polycrystalline sandwich structures
p+-PbTe/p-CdTe/p+-PbTe ................................................................................................ 130
Karas N. Influence oxide coatings on negative photoconductivity in structures
macroporous silicon ........................................................................................................ 136
|