Механизмы формирования контактного сопротивления в омических контактах с большой плотностью дислокаций (обзор) - Саченко, А.В.; Беляев, А.Е.; Болтовец, Н.С.; Конакова, Р.В.; Шеремет, В.Н. (Оптоэлектроника и полупроводниковая техника, 2013)
Обобщен цикл экспериментальных и теоретических исследований температурных зависимостей удельного контактного сопротивления ρс(Т) омических контактов к широкозонным полупроводникам А3В5 и к кремнию с учетом атермического воздействия микроволнового излучения. На основе теоретического анализа ρс(Т) предложен новый способ увеличения с с повышением температуры измерения. В нем учитывается токопрохождение по металлическим шунтам, совмещенным с перпендикулярными к границе раздела металл–полупроводник дислокациями. Показано, что малое поперечное сечение металлических шунтов обусловливает реализацию большого потенциала сил зеркального изображения, превышающего исходную величину барьера Шоттки. В результате этого возникают обогащающие изгибы зон у торцов шунтов, реализуются диффузионная теория токопрохождения в контакте, а также зависимость величины ρс от подвижности электронов. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей ρс(Т) для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, совмещенных с металлическими шунтами. Показана возможность уменьшения с омических контактов к соединениям А³В⁵ и Si, подвергнутых атермической микроволновой обработке.