Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації
Коротко проаналізовано основні механізми дії акустичної хвилі (АХ) при іонній імплантації на перерозподіл домішок і дефектну структуру напівпровідникового кристала. На експериментальних прикладах показано, що здебільшого дія АХ не виявляється в процесі імплантації, а є відкладеною. Роль АХ в окремих...
Gespeichert in:
Datum: | 2013 |
---|---|
1. Verfasser: | Оліх, Я.М. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Ukrainian |
Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
Schriftenreihe: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116734 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Про акустостимульовану самоорганізацію дефектно-домішкових структур напівпровідника в процесі йонної мплантації / Я.М. Оліх // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 113-120. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Вплив металу на поверхневі характеристики напівпровідника
von: Ільченко, Л.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Спектроскопія домішкових станів у сплавах Cu−Mn
von: Stashchuk, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2022) -
Математичне моделювання дифузії домішкових компонент за їх каскадного розпаду
von: Білущак, Ю.І., et al.
Veröffentlicht: (2015) -
Механізми електропровідності напівпровідника Tm1 – xVxNiSb
von: Romaka, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2024) -
Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
von: Удовицька, Р.С.
Veröffentlicht: (2015)