Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только пол...
Збережено в:
| Дата: | 2013 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2013
|
| Назва видання: | Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-116737 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
irk-123456789-1167372017-05-15T03:02:28Z Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Карась, Н.И. Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value. When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconductivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow» surface levels on the surface of macroporous silicon. 2013 Article Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. 0233-7577 http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 621.315.592 ru Оптоэлектроника и полупроводниковая техника Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| description |
Исследовано влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость (ФП) структур макропористого кремния (МПК). Показано, что с увеличением толщины оксидного покрытия от 3 до 15 нм отрицательная ФП уменьшается по абсолютной величине, а при толщине оксидного покрытия 30 нм наблюдается только положительная ФП. Объясняется это компенсацией положительным «встроенным» зарядом оксида отрицательного заряда «медленных» поверхностных уровней, расположенных на поверхности макропористого кремния. |
| format |
Article |
| author |
Карась, Н.И. |
| spellingShingle |
Карась, Н.И. Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| author_facet |
Карась, Н.И. |
| author_sort |
Карась, Н.И. |
| title |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_short |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_fullStr |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_full_unstemmed |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| title_sort |
влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния |
| publisher |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| publishDate |
2013 |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116737 |
| citation_txt |
Влияние оксидного покрытия на отрицательную фотопроводимость в структурах макропористого кремния / Н.И. Карась // Оптоэлектроника и полупроводниковая техника: Сб. научн. тр. — 2013. — Вип. 48. — С. 136-139. — Бібліогр.: 6 назв. — рос. |
| series |
Оптоэлектроника и полупроводниковая техника |
| work_keys_str_mv |
AT karasʹni vliânieoksidnogopokrytiânaotricatelʹnuûfotoprovodimostʹvstrukturahmakroporistogokremniâ |
| first_indexed |
2025-07-08T10:58:15Z |
| last_indexed |
2025-07-08T10:58:15Z |
| _version_ |
1837076103348355072 |
| fulltext |
136 ISSN 0233-7577. Oïòîýëåêòðîíèêà è ïîëóïðîâîäíèêîâàÿ òåõíèêà, 2013, âûï. 48
ÓÄÊ.621.315.592
. .
Èññëåäîâàíî âëèÿíèå îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ íà îòðèöàòåëüíóþ ôîòî-
ïðîâîäèìîñòü (ÔÏ) ñòðóêòóð ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ (ÌÏÊ). Ïîêàçàíî, ÷òî ñ óâå-
ëè÷åíèåì òîëùèíû îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ îò 3 äî 15 íì îòðèöàòåëüíàÿ ÔÏ óìåíüøà-
åòñÿ ïî àáñîëþòíîé âåëè÷èíå, à ïðè òîëùèíå îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ 30 íì íàáëþäàåò-
ñÿ òîëüêî ïîëîæèòåëüíàÿ ÔÏ. Îáúÿñíÿåòñÿ ýòî êîìïåíñàöèåé ïîëîæèòåëüíûì
«âñòðîåííûì» çàðÿäîì îêñèäà îòðèöàòåëüíîãî çàðÿäà «ìåäëåííûõ» ïîâåðõíîñòíûõ
óðîâíåé, ðàñïîëîæåííûõ íà ïîâåðõíîñòè ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ.
Êëþ÷åâûå ñëîâà: îòðèöàòåëüíàÿ ôîòîïðîâîäèìîñòü, «âñòðîåííûé» çàðÿä, èíâåð-
ñèîííûé èçãèá çîí, «ìåäëåííûå» ïîâåðõíîñòíûå óðîâíè.
Ìàêðîïîðèñòûé êðåìíèé � ïåðñïåêòèâíûé ìàòåðèàë ìèêðî-
è îïòîýëåêòðîíèêè. Îñíîâíûì íåäîñòàòêîì äëÿ ïðèìåíåíèÿ ïîðèñòîãî
êðåìíèÿ â îïòîýëåêòðîíèêå ÿâëÿåòñÿ íåñòàáèëüíîñòü åãî ôîòîýëåêòðè-
÷åñêèõ ñâîéñòâ. Äëÿ ïîâûøåíèÿ ñòàáèëüíîñòè ïðèìåíÿåòñÿ ïàññèâàöèÿ
ïîâåðõíîñòè ñòðóêòóð ïîðèñòîãî êðåìíèÿ òåðìè÷åñêèì îêèñëåíèåì. Îá-
ðàçóþùèéñÿ îêñèä êðåìíèÿ ñëóæèò ïðè ýòîì çàùèòíûì ïîêðûòèåì è ðå-
çåðâóàðîì õðàíèìîãî â íåì «âñòðîåííîãî» çàðÿäà, âëèÿþùåãî íà ïîâåðõ-
íîñòíûé èçãèá çîí â ìàêðîïîðèñòîì êðåìíèè. Â ðàáîòå [1] áûëà îáíàðó-
æåíà è èññëåäîâàíà îòðèöàòåëüíàÿ ñòàöèîíàðíàÿ ÔÏ â ñòðóêòóðàõ ìàêðî-
ïîðèñòîãî êðåìíèÿ. Îòðèöàòåëüíàÿ ÔÏ òðàêòóåòñÿ êàê ìîíîïîëÿðíàÿ
ÔÏ, ñîñðåäîòî÷åííàÿ â îáëàñòè ïðîñòðàíñòâåííîãî çàðÿäà (ÎÏÇ) è ñâÿ-
çàííàÿ ñ ïîâåðõíîñòíûì ïðèëèïàíèåì îñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà íà
«ìåäëåííûõ» ïîâåðõíîñòíûõ óðîâíÿõ. Â äàííîé ðàáîòå èññëåäîâàíî âëè-
ÿíèå îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ («âñòðîåííîãî» çàðÿäà) íà îòðèöàòåëüíóþ ÔÏ
ñòðóêòóð ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ äëÿ èñïîëüçîâàíèÿ â êà÷åñòâå ôîòî-
ïðèåìíèêîâ.
Èñõîäíûì ìàòåðèàëîì áûë ìîíîêðèñòàëëè÷åñêèé n-Si c
óäåëüíûì ñîïðîòèâëåíèåì 4,5 Îì ñì. Ìàêðîïîðû ãëóáèíîé 100 ìêì è
äèàìåòðîì 4 ìêì áûëè ñôîðìèðîâàíû ìåòîäîì ýëåêòðîõèìè÷åñêîãî
òðàâëåíèÿ â ðàñòâîðå ôòîðèñòîâîäîðîäíîé êèñëîòû. Ïîêðûòèå îêñèäà
êðåìíèÿ òîëùèíîé 7�30 íì áûëî ñôîðìèðîâàíî ìåòîäîì ñóõîãî îêèñ-
ëåíèÿ. Îìè÷åñêèå êîíòàêòû In�ïîðèñòûé êðåìíèé ôîðìèðîâàëèñü òàê:
1) î÷èñòêà ïîâåðõíîñòè ÌÏÊ â àòìîñôåðå âîäîðîäà ïðè òåìïåðàòóðå
500 C â òå÷åíèå 30 ìèí; 2) íàëîæåíèå ìàñêè íà ñòðóêòóðó ÌÏÊ è âà-
êóóìíîå íàïûëåíèå In ïðè òåìïåðàòóðå ïîäëîæêè 150�200 C; 3) îòæèã
ñòðóêòóðû In�ïîðèñòûé êðåìíèé â àòìîñôåðå âîäîðîäà ïðè òåìïåðàòó-
ðå 400 C â òå÷åíèå 30 ìèí äëÿ äèôôóçèè In ÷åðåç ñëîé SiOx è óëó÷øå-
íèÿ àäãåçèè In ñ ìàêðîïîðèñòûì êðåìíèåì. Êîýôôèöèåíò âûïðÿìëåíèÿ
íà òàêèõ îáðàçöàõ íå ïðåâûøàë 1,1.
© Í.È. Êàðàñü, 2013
137
Ôîòîïðîâîäèìîñòü èññëåäîâàëè ñòàíäàðòíûì ìåòîäîì ñ ïîñòîÿííûì
(íå ìîäóëèðîâàííûì) îñâåùåíèåì ñ èñïîëüçîâàíèåì ïðîñòåéøåé ñõå-
ìû: ïîñëåäîâàòåëüíîå ñîåäèíåíèå èñòî÷íèêà íàïðÿæåíèÿ, îáðàçöà ñ ñî-
ïðîòèâëåíèåì r è íàãðóçî÷íîãî ñîïðîòèâëåíèÿ R, ñ êîòîðîãî íàíî-
âîëüòìåòðîì Â2-38 ñíèìàëñÿ ïîëåçíûé ñèãíàë. Ôîòîïðîâîäèìîñòü èç-
ìåðÿëè â ðåæèìå ìàêñèìàëüíîé ÷óâñòâèòåëüíîñòè ïðè R = r. Îñâåùåíèå
ïðîâîäèëîñü íà äëèíå âîëíû 0,4 ìêì ñâåòîäèîäîì ïðè ïåðïåíäèêóëÿð-
íîì ïàäåíèè ñâåòà íà ïîâåðõíîñòü ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ. Èíòåíñèâ-
íîñòü îñâåùåíèÿ ðåãóëèðîâàëàñü òîêîì ñâåòîäèîäà.
Êàê âèäèì èç ðèñóíêà, ôîòîïðîâîäèìîñòü ñòðóêòóð ìàêðîïî-
ðèñòîãî êðåìíèÿ çàâèñèò îò òîëùèíû îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ, êîòîðîå âëèÿåò
êàê íà àáñîëþòíûå çíà÷åíèÿ ôîòîïðîâîäèìîñòè, òàê è íà åå çíàê è õà-
ðàêòåð çàâèñèìîñòè ôîòîïðîâîäèìîñòè îò èíòåíñèâíîñòè îñâåùåíèÿ.
Ïðè óâåëè÷åíèè òîëùèíû îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ îò 3 äî 15 íì îòðè-
öàòåëüíàÿ ôîòîïðîâîäèìîñòü óìåíüøàåòñÿ ïî àáñîëþòíîé âåëè÷èíå
(êðèâûå 1�3) è ïåðåõîäèò â ïîëîæèòåëüíóþ ïðè òîëùèíå îêñèäíîãî
ïîêðûòèÿ 30 íì (êðèâàÿ 4).
Òåîðåòè÷åñêè ñòàöèîíàðíàÿ ÔÏ ïîëóïðîâîäíèêà ñ ïîëíîñòüþ èîíè-
çèðîâàííûìè îáúåìíûìè óðîâíÿìè è ñ ó÷åòîì ðÿäà ïîâåðõíîñòíûõ
ïðîöåññîâ, â òîì ÷èñëå è ïðèëèïàíèÿ, áûëà ðàññìîòðåíà â ðàáîòàõ [2�4],
ãäå ïîêàçàíî, ÷òî ÔÏ ñîñòîèò èç òðåõ êîìïîíåíò: èç áèïîëÿðíîé ÔÏ
ÎÏÇ b1, ìîíîïîëÿðíîé ÔÏ ÎÏÇ m1 è áèïîëÿðíîé ÔÏ êâàçèíåéòðàëü-
íîãî îáúåìà b2. Áèïîëÿðíàÿ ÔÏ ÎÏÇ b1 âîçíèêàåò èç-çà ðàçâåäåíèÿ
ãåíåðèðîâàííûõ ñâåòîì ýëåêòðîííî-äûðî÷íûõ ïàð ïîëåì, ñóùåñòâóþùèì
â ÎÏÇ, ïðè÷åì ÔÏ îêàçûâàåòñÿ ëîêàëèçîâàííîé â ÎÏÇ ïîëóïðîâîäíèêà,
ïîñêîëüêó ñèëû ýëåêòðè÷åñêîãî ïðèòÿæåíèÿ ìåæäó ýëåêòðîíàìè è äûðêàìè
íå ïîçâîëÿþò èì óäàëÿòüñÿ íà ðàññòîÿíèÿ, ïðåâûøàþùèå òîëùèíó ÎÏÇ.
Ìîíîïîëÿðíàÿ ÔÏ ÎÏÇ m1 îáóñëîâëåíà òåìè ïîäâèæíûìè íîñèòåëÿ-
ìè çàðÿäà, êîòîðûå êîìïåíñèðóþò çàðÿä çàõâà÷åííûõ ïîâåðõíîñòíûìè
óðîâíÿìè íåðàâíîâåñíûõ âîçáóæäåííûõ ñâåòîì íîñèòåëåé çàðÿäà ïðîòè-
âîïîëîæíîãî çíàêà. Ïåðåìåùåíèå íåçàõâà÷åííûõ (ñâîáîäíûõ) âîçáóæ-
äåííûõ ñâåòîì íîñèòåëåé ñòàíîâèòñÿ âîçìîæíûì òîëüêî ïàðàëëåëüíî
ïîâåðõíîñòè â îáëàñòè LD (LD �äåáàåâñêàÿ äëèíà ýêðàíèðîâàíèÿ) [5] ,
ò. å. â êâàçèïîâåðõíîñòíîé îáëàñòè. ÔÏ ÎÏÇ m1 ìîæåò áûòü ïîëîæè-
òåëüíîé è îòðèöàòåëüíîé â çàâèñèìîñòè îò èçãèáà çîí ó ïîâåðõíîñòè
ïîëóïðîâîäíèêà. Ñëó÷àé ïîëîæèòåëüíîé ìîíîïîëÿðíîé ÔÏ ÎÏÇ m1 ðåà-
ëèçóåòñÿ ïðè èñòîùàþùåì èçãèáå çîí, êîãäà ñêîðîñòü çàõâàòà íåîñíîâ-
íûõ íîñèòåëåé çàðÿäà (äûðîê) çíà÷èòåëüíî ïðåâûøàåò ñêîðîñòü çàõâàòà
ýëåêòðîíîâ. Åñëè áîëåå èíòåíñèâíûì
áóäåò ïðèëèïàíèå îñíîâíûõ íîñèòå-
ëåé (ýëåêòðîíîâ), òî ìîíîïîëÿðíàÿ
ïîâåðõíîñòü ÔÏ áóäåò îòðèöàòåëü-
íîé. Ïîñëåäíèé âàðèàíò ñîãëàñíî [4]
âîçìîæåí ïðè èíâåðñèîííîì èçãèáå
çîí.  íàøåì ñëó÷àå ýòî ñîîòâåòñòâó-
åò çíà÷åíèþ ïîâåðõíîñòíîãî èçãèáà
çîí Ys = �22,8 [1].
Çàâèñèìîñòü ôîòîïðîâîäèìîñòè ñòðóêòóð
ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ íà äëèíå âîëíû
0,4 ìêì îò èíòåíñèâíîñòè îñâåùåíèÿ ïðè
ðàçíûõ òîëùèíàõ îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ:
1 � «ñîáñòâåííûé îêñèä» ( 3 íì); 2 �
7 íì; 3 � 15 íì; 4 � 30 íì
138
Îòðèöàòåëüíóþ ôîòîïðîâîäèìîñòü ñòðóêòóð ìàêðîïîðèñòîãî êðåì-
íèÿ áåç òåðìè÷åñêîãî îêñèäà êðåìíèÿ (êðèâàÿ 1) èññëåäîâàëè â ðàáîòå
[1]; åå òðàêòîâàëè êàê ìîíîïîëÿðíóþ ÔÏ â îáëàñòè ïðîñòðàíñòâåííîãî
çàðÿäà, ñâÿçàííóþ ñ ïîâåðõíîñòíûì ïðèëèïàíèåì îñíîâíûõ íîñèòåëåé
çàðÿäà íà «ìåäëåííûõ» ïîâåðõíîñòíûõ óðîâíÿõ. Ïîñëåäíèå ïðîÿâëÿþò
ñåáÿ òåì, ÷òî âûçûâàþò âðåìåííûå ðåëàêñàöèè ÔÏ èç-çà òîãî, ÷òî çà-
òðóäíåí îáìåí íîñèòåëÿìè ìåæäó ýòèìè óðîâíÿìè è çîíîé ïðîâîäèìî-
ñòè â îáúåìå ïîëóïðîâîäíèêà. Â íàøèõ ýêñïåðèìåíòàõ íàáëþäàëèñü òà-
êèå äîëãîâðåìåííûå ðåëàêñàöèè (äî 10 ìèí) ôîòîïðîâîäèìîñòè ïðè
âêëþ÷åíèè è âûêëþ÷åíèè îñâåùåíèÿ.
Èçìåíåíèå çíà÷åíèÿ è çíàêà ÔÏ â äàííîì ñëó÷àå ïðè óâåëè÷åíèè
òîëùèíû îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ îáúÿñíÿåòñÿ ñëåäóþùèì îáðàçîì. Â ïðî-
öåññå îêèñëåíèÿ â òåðìè÷åñêîì äèîêñèäå êðåìíèÿ ôîðìèðóåòñÿ ïîëî-
æèòåëüíûé ôèêñèðîâàííûé çàðÿä Qf , ëîêàëèçîâàííûé â óçêîì ñëîå äè-
îêñèäà òîëùèíîé îêîëî 2 íì, ïðèëåãàþùåì ê ìåæôàçíîé ãðàíèöå Si-
SiO2 [6]. Ïî ìåðå óâåëè÷åíèÿ òîëùèíû îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ âîçðàñòàåò
åãî ïîëîæèòåëüíûé çàðÿä [4], êîòîðûé âñå â áîëüøåé ñòåïåíè êîìïåí-
ñèðóåò îòðèöàòåëüíûé çàðÿä «ìåäëåííûõ» ïîâåðõíîñòíûõ óðîâíåé, âîç-
íèêàþùèé â ðåçóëüòàòå ïðèëèïàíèÿ íà íèõ îñíîâíûõ íîñèòåëåé çàðÿäà
(ýëåêòðîíîâ). Ïðè ýòîì èíâåðñèîííûé èçãèá çîí ó ïîâåðõíîñòè ìàêðî-
ïîðèñòîãî êðåìíèÿ ïðåâðàùàåòñÿ â èñòîùàþùèé. Òàêèì îáðàçîì, ïî
ìåðå óâåëè÷åíèÿ òîëùèíû îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ è êîìïåíñàöèè îòðèöà-
òåëüíîãî çàðÿäà «ìåäëåííûõ» ïîâåðõíîñòíûõ óðîâíåé óìåíüøàåòñÿ ïî
âåëè÷èíå è îòðèöàòåëüíàÿ ôîòîïðîâîäèìîñòü (êðèâûå 1�3), êîòîðàÿ
ïðè òîëùèíå îêñèäà 30 íì ïåðåõîäèò â ïîëîæèòåëüíóþ (êðèâàÿ 4).
1. Ïðîâåäåíî ýêñïåðèìåíòàëüíîå èññëåäîâàíèå âëèÿíèÿ îê-
ñèäíîãî ïîêðûòèÿ òîëùèíîé 3�30 íì íà îòðèöàòåëüíóþ ôîòîïðîâîäè-
ìîñòü ñòðóêòóð ìàêðîïîðèñòîãî êðåìíèÿ.
2. Óñòàíîâëåíî, ÷òî íàëè÷èå îêñèäíîãî ïîêðûòèÿ ñòðóêòóð ÌÏÊ èç-çà
«âñòðîåííîãî» â íåì ïîëîæèòåëüíîãî çàðÿäà ïîçâîëÿåò â øèðîêèõ ïðå-
äåëàõ èçìåíÿòü ÔÏ ÌÏÊ. Ïðè ýòîì íàáëþäàåòñÿ èçìåíåíèå êàê çíà÷å-
íèÿ, òàê è çíàêà ÔÏ.
3. Ïðåäëîæåí ìåõàíèçì íàáëþäàåìîãî ýôôåêòà èçìåíåíèÿ çíàêà è
çíà÷åíèÿ ÔÏ, êîòîðûé çàêëþ÷àåòñÿ â êîìïåíñàöèè ïîëîæèòåëüíûì
«âñòðîåííûì» çàðÿäîì îêñèäà êðåìíèÿ îòðèöàòåëüíîãî çàðÿäà «ìåäëåííûõ»
ïîâåðõíîñòíûõ óðîâíåé ñòðóêòóð ÌÏÊ.Ïðè óâåëè÷åíèè òîëùèíû îê-
ñèäíîãî ïîêðûòèÿ óâåëè÷èâàåòñÿ è ïîëîæèòåëüíûé «âñòðîåííûé» çàðÿä
è ïðè îïðåäåëåííîì åãî çíà÷åíèè îòðèöàòåëüíàÿ ôîòîïðîâîäèìîñòü ïå-
ðåõîäèò â ïîëîæèòåëüíóþ.
N. Karas
INFLUENCE OXIDE COATINGS ON NEGATIVE
PHOTOCONDUCTIVITY IN STRUCTURES
MACROPOROUS SILICON
The influence of the oxide coating on the negative photoconductivity of
macroporous silicon structures has been investigated. It is shown that with increasing oxide
coating thickness from 3 to 15 nm negative photoconductivity decreases in absolute value.
When the thickness of the oxide layer was 30 nm, there was only positive photoconduc-
tivity. This is due to compensation of the positive charge built-oxide negative charge of the «slow»
surface levels on the surface of macroporous silicon.
Keywords: negative photoconductivity, «built-in» charge, inversion band bending,
«slow» surface levels.
1. Êàðàñü Í.È. Îòðèöàòåëüíàÿ ôîòîïðîâîäèìîñòü â ñòðóêòóðàõ ìàêðîïîðèñòîãî
êðåìíèÿ // Íîâ³ òåõíîëî㳿. � 2010. � ¹ 1. � Ñ. 118�123.
2. Çóåâ Â.À., Ñà÷åíêî À.Â., Òîëïûãî Ê.Á. Êèíåòèêà ôîòîïðîâîäèìîñòè â ïîëóïðîâîä-
íèêàõ, îáëàäàþùèõ óðîâíÿìè çàõâàòà íåîñíîâíûõ íîñèòåëåé íà ïîâåðõíîñòè //
ÔÒÒ. � 1965. � 6, ¹ 10. � Ñ. 3174�3177.
3. Çóºâ Â.Î., Ñà÷åíêî À.Â. Òåîðåòè÷íå äîñë³äæåííÿ ïîâåðõíåâî-÷óòëèâèõ ôîòîåôåêò³â
ó Si // ÓÔÆ. � 1973. � 18, ¹ 10. � 1680�1687.
4. Ñà÷åíêî À.Â., Ñíèòêî Î.Â. Ôîòîýôôåêòû â ïðèïîâåðõíîñòíûõ ñëîÿõ ïîëóïðîâîä-
íèêîâ. � Êèåâ: Íàóê. äóìêà, 1984. � 232 ñ.
5. Ëèòîâ÷åíêî Â. Ã., Ëÿøåíêî Â.È. Ïðèëèïàíèå íåðàâíîâåñíûõ íîñèòåëåé òîêà íà
ïîâåðõíîñòè ãåðìàíèÿ // ÔÒÒ. � 1962. � 4, ¹ 8. � Ñ. 1985�1993.
6. Àëåêñàíäðîâ Î.Â., Äóñü À.È. Ìîäåëü îáðàçîâàíèÿ ôèêñèðîâàííîãî çàðÿäà â òåðìè-
÷åñêîì äèîêñèäå êðåìíèÿ // ÔÒÏ. � 2011. � 45, ¹ 4. � Ñ. 474�480.
Èíñòèòóò ôèçèêè ïîëóïðîâîäíèêîâ
èì. Â.Å. Ëàøêàðåâà
ÍÀÍ Óêðàèíû
Ïðîñïåêò Íàóêè, 41
03028 Êèåâ
Òåëåôîí: 525 23 09
E-mail: nikar@isp.kiev.ua
Ïîëó÷åíî 06.06.2013
|