Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
Изучены спектры тока короткого замыкания в структуре p-CdTe-SiO₂-Si в зависимости от величины внешнего воздействия. Наблюдается смещение спектров в коротковолновую область, вследствие чего в этих структурах изменяются энергии оптической активации глубокого уровня. Предлагается модель для распределен...
Gespeichert in:
Datum: | 2016 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
Schriftenreihe: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116808 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий / Н.Э. Алимов, С.М. Зайнолобиддинова, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, Д.А. Юсупова, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 1. — С. 52-56. — Бібліогр.: 3 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSchreiben Sie den ersten Kommentar!