Изучение деформационных эффектов в нанокристаллических фоточувствительных активированных тонких пленках p-CdTe
Изучено фото- и тензочувствительность нанокристаллических тонких пленок p-CdTe при различных деформациях. Наблюдалось увеличение фото- и тензочувствительности в зависимости от деформации-растяжения. Установлено, что деформация растяжения увеличивает не только высоты микропотенциальных барьеров, но и...
Gespeichert in:
Datum: | 2016 |
---|---|
Hauptverfasser: | Алимов, Н.Э., Ботиров, К., Мовлонов, П., Отажонов, С.М., Халилов, М.М., Эргашев, О., Якубова, Ш. |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
Schriftenreihe: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116932 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Изучение деформационных эффектов в нанокристаллических фоточувствительных активированных тонких пленках p-CdTe / Н.Э. Алимов, К. Ботиров, П. Мовлонов, С.М. Отажонов, М.М. Халилов, О. Эргашев, Ш. Якубова // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 2. — С. 140-144. — Бібліогр.: 4 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineÄhnliche Einträge
-
Изменение потенциальных барьеров низкоразмерных тонких пленок p-CdTe в условиях внешних воздействий
von: Алимов, Н.Э., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Фазовые портреты деформационных эффектов на тензочувствительных плёнках Bi₂Te₃ и Sb₂Te₃
von: Шамирзаев, C.Х., et al.
Veröffentlicht: (2011) -
Фазовые портреты деформационных эффектов в полупроводниках в импульсном режиме
von: Дадамирзаев, М.Г., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Фоточувствительность и механизм протекания тока в гетероструктурах p-CdTe-SiO₂-Si с глубокими примесными уровнями
von: Жураев, Н., et al.
Veröffentlicht: (2017) -
Стимулирование аномального фотонапряжения под действием внешнего элек-трического поля в нанокристаллических структурах на основе CdTe-ZnSe с глубокими примесными уровнями
von: Акбаров, К., et al.
Veröffentlicht: (2008)