Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si
Изучены электрические свойства анизотипных гетеропереходов р-Cu₂ZnSnS₄/n-Si, полученных сульфиризацией базовых металлических слоев, предварительно напыленных на кремниевую подложку. Обсуждаются вольт-амперные характеристики и установлены доминирующие механизмы токопереноса: при прямых напряжениях (3...
Saved in:
Date: | 2016 |
---|---|
Main Authors: | Юсупов, А., Адамбаев, К., Тураев, З.З., Алиев, С.Р. |
Format: | Article |
Language: | Russian |
Published: |
Науковий фізико-технологічний центр МОН та НАН України
2016
|
Series: | Журнал физики и инженерии поверхности |
Online Access: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/116999 |
Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Cite this: | Механизм токопереноса в гетеропереходах p-Cu₂ZnSnS₄/n-Si / А. Юсупов, К. Адамбаев, З.З. Тураев, С.Р. Алиев // Журнал физики и инженерии поверхности. — 2016. — Т. 1, № 3. — С. 246-250 . — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineSimilar Items
-
Thin films of Cu₂ZnSnS₄ for solar cells: optical and structural properties
by: Babichuk, I.S., et al.
Published: (2013) -
Optical and morphological properties of tetragonal Cu₂ZnSnS₄ thin films grown from sulphide precursors at lower temperatures
by: Babichuk, I.S., et al.
Published: (2014) -
Optical and morphological properties of tetragonal Cu2ZnSnS4 thin films grown from sulphide precursors at lower temperatures
by: I. S. Babichuk, et al.
Published: (2014) -
The effect of low-temperature annealing on structure and chemical composition of Cu2ZnSnS4 films deposited on flexible polyimide substrates
by: S. I. Kakherskyi, et al.
Published: (2021) -
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
by: Комник, Ю.Ф., et al.
Published: (2000)