Сверхпроводимость гранулированных пленок 80NbN–20SiO₂
Продемонстрирована возможность создания гранулированных сверхпроводящих пленок NbN–SiO₂ с контролируемым размером гранул золь-гель методом. Проведено комплексное исследование структурных и транспортных свойств гранулированных пленок 80%NbN–20%SiO₂ разной толщины. Установлено, что для наблюдения полн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2010 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2010
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117536 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Сверхпроводимость гранулированных пленок 80NbN–20SiO₂ / О.И. Юзефович, Б. Костельска, С.В. Бенгус, A. Витковска // Физика низких температур. — 2010. — Т. 36, № 12. — С. 1312–1319. — Бібліогр.: 22 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Zusammenfassung: | Продемонстрирована возможность создания гранулированных сверхпроводящих пленок NbN–SiO₂ с контролируемым размером гранул золь-гель методом. Проведено комплексное исследование структурных и транспортных свойств гранулированных пленок 80%NbN–20%SiO₂ разной толщины. Установлено, что для наблюдения полного сверхпроводящего перехода образцы должны быть толщиной больше 750 нм. Критические температуры сверхпроводящего перехода и верхние критические магнитные поля для пленок разной толщины примерно равны и составляют 4,5К и 4,4Тл соответственно. Обнаружен кроссовер от 2D к 3D поведению температурной зависимости верхнего параллельного критического магнитного поля. Показано, что в области слабых магнитных полей резистивные переходы хорошо описываются законом Аррениуса. Механизмом уширения резистивных переходов в магнитном поле, вероятнее всего, является крип магнитного потока. Получена зависимость энергии активации от магнитного поля. В сильных магнитных полях обнаружены характерные начальные признаки индуцированного магнитным полем фазового перехода сверхпроводник–изолятор. |
|---|