Учёт рассеяния в обобщённой модели транспорта электронов в микро- и наноэлектронике - Кругляк, Ю.А. (Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології, 2016)
При описании транспорта электронов по проводнику в диффузионном режиме важную роль играет средняя длина свободного обратного рассеяния λ, которая определяет коэффициент прохождения T. Для более глубокого понимания того, как средняя скорость электронов и среднее время рассеяния определяют величину λ, качественно рассматривается рассеяние носителей тока и тепла в транспортной модели Ландауэра—Датты—Лундстрома (ЛДЛ) по ходу изменения времён рассеяния в процессе столкновений. На примере 1D-проводника выводится базовое соотношение между коэффициентом прохождения T и средней длиной свободного пробега λ. Устанавливается связь между λ и временем импульсной релаксации τm для проводников разной размерности. Даётся оценка усреднённого значения длины свободного пробега из экспериментальных измерений через коэффициент диффузии и устанавливается связь длины свободного пробега с подвижностью. В качестве примера анализируются экспериментальные данные для полевого транзистора Si MOSFET в разных приближениях в рамках транспортной теории ЛДЛ с привлечением моделей различной достоверности.