Dolgolenko, A., Gaidar, G., Varentsov, M., & Litovchenko, P. (2007). The radiation hardness of pulled silicon doped with germanium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Dolgolenko, A.P, G.P Gaidar, M.D Varentsov, und P.G Litovchenko. The Radiation Hardness of Pulled Silicon Doped with Germanium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Dolgolenko, A.P, et al. The Radiation Hardness of Pulled Silicon Doped with Germanium. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.