Стиль цитування APA (7-ме видання)

Vlaskina, S., Mishinova, G., Vlaskin, V., Svechnikov, G., Rodionov, V., & Lee, S. (2013). Silicon carbide phase transition in as-grown 3C-6H polytypes junction. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Vlaskina, S.I, G.N Mishinova, V.I Vlaskin, G.S Svechnikov, V.E Rodionov, та S.W Lee. Silicon Carbide Phase Transition in As-grown 3C-6H Polytypes Junction. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Vlaskina, S.I, et al. Silicon Carbide Phase Transition in As-grown 3C-6H Polytypes Junction. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.