Charge transport in bismuth orthogermanate crystals
Current-voltage relations in bismuth orthogermanate crystals with Ag, Pt, InGa electrodes have been measured in the modes of double and unipolar injection of charge carriers. It has been shown that Bi₄Ge₃O₁₂ is relaxation type semiconductor. The appearance of the regions with negative differentia...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2011
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/117709 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Charge transport in bismuth orthogermanate crystals / T.M. Bochkova, S.N. Plyaka // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2011. — Т. 14, № 2. — С. 170-174. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |