Vlaskina, S., Mishinova, G., Vlaskin, V., Rodionov, V., & Svechnikov, G. (2013). 8H-, 10H-, 14H-SiC formation in 6H-3C silicon carbide phase transitions. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Vlaskina, S.I, G.N Mishinova, V.I Vlaskin, V.E Rodionov, und G.S Svechnikov. 8H-, 10H-, 14H-SiC Formation in 6H-3C Silicon Carbide Phase Transitions. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Vlaskina, S.I, et al. 8H-, 10H-, 14H-SiC Formation in 6H-3C Silicon Carbide Phase Transitions. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2013.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.