Стиль цитування APA (7-ме видання)

Begun, E., Bratus’, O., Evtukh, A., Kaganovich, E., & Manoilov, E. (2007). Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Begun, E.V, O.L Bratus’, A.A Evtukh, E.B Kaganovich, та E.G Manoilov. Charge Characteristics of the MOS Structures with Oxide Films Containing Si Nanocrystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Begun, E.V, et al. Charge Characteristics of the MOS Structures with Oxide Films Containing Si Nanocrystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.