Begun, E., Bratus’, O., Evtukh, A., Kaganovich, E., & Manoilov, E. (2007). Charge characteristics of the MOS structures with oxide films containing Si nanocrystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Begun, E.V, O.L Bratus’, A.A Evtukh, E.B Kaganovich, und E.G Manoilov. Charge Characteristics of the MOS Structures with Oxide Films Containing Si Nanocrystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Begun, E.V, et al. Charge Characteristics of the MOS Structures with Oxide Films Containing Si Nanocrystals. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.