APA (7th ed.) Citation

Krukovsky, S., Zayachuk, D., Rybak, O., & Mryhin, I. (2003). High-resistance low-doped GaAs and AlGaAs layers obtained by LPE. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Krukovsky, S.I, D.M Zayachuk, O.V Rybak, and I.O Mryhin. High-resistance Low-doped GaAs and AlGaAs Layers Obtained by LPE. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.

MLA (8th ed.) Citation

Krukovsky, S.I, et al. High-resistance Low-doped GaAs and AlGaAs Layers Obtained by LPE. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.