APA (7th ed.) Citation

Shwarts, Y., Sokolov, V., Shwarts, M., & Venger, E. (2003). Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Shwarts, Yu.M, V.N Sokolov, M.M Shwarts, and E.F Venger. Peculiarities of Injection Phenomena in Heavily Doped Silicon Structures and Development of Radiation-resistant Diode Temperature Sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.

MLA (8th ed.) Citation

Shwarts, Yu.M, et al. Peculiarities of Injection Phenomena in Heavily Doped Silicon Structures and Development of Radiation-resistant Diode Temperature Sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.