Shwarts, Y., Sokolov, V., Shwarts, M., & Venger, E. (2003). Peculiarities of injection phenomena in heavily doped silicon structures and development of radiation-resistant diode temperature sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Shwarts, Yu.M, V.N Sokolov, M.M Shwarts, und E.F Venger. Peculiarities of Injection Phenomena in Heavily Doped Silicon Structures and Development of Radiation-resistant Diode Temperature Sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Shwarts, Yu.M, et al. Peculiarities of Injection Phenomena in Heavily Doped Silicon Structures and Development of Radiation-resistant Diode Temperature Sensors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.