Стиль цитування APA (7-ме видання)

Kashirina, N., Lakhno, V., Sychyov, V., & Sheinkman, M. (2003). Properties of the shallow D-centers in semiconductors with polar and covalent binding. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Kashirina, N.I, V.D Lakhno, V.V Sychyov, та M.K Sheinkman. Properties of the Shallow D-centers in Semiconductors with Polar and Covalent Binding. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Kashirina, N.I, et al. Properties of the Shallow D-centers in Semiconductors with Polar and Covalent Binding. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2003.