Hashim, U., Ayub, R., & On, K. (2004). Fabrication and characterization of ONO and tunnel oxide for 16k FLOTOX EEPROM cell. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Hashim, U., R.M Ayub, та K.S On. Fabrication and Characterization of ONO and Tunnel Oxide for 16k FLOTOX EEPROM Cell. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2004.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Hashim, U., et al. Fabrication and Characterization of ONO and Tunnel Oxide for 16k FLOTOX EEPROM Cell. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2004.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.