Timofeyev, V., & Faleyeva, E. (2010). Model of heterotransistor with quantum dots. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Timofeyev, V.I, та E.M Faleyeva. Model of Heterotransistor with Quantum Dots. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2010.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Timofeyev, V.I, та E.M Faleyeva. Model of Heterotransistor with Quantum Dots. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2010.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.