Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals
Room temperature IR impurity absorption spectra in 1 4000 7000 cm ( 4.1 - 25um ) region for chalcogenide glasses of As₂S₃ doped with chromium (0.5, 1 wt.%) and manganese (0.1, 1, 2, 5 wt.%) have been studied. The effects of chromium and manganese impurities on the transmission spectra are discu...
Gespeichert in:
| Datum: | 2012 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2012
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118287 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Mid-IR impurity absorption in As₂S₃ chalcogenide glasses doped with transition metals / A.P. Paiuk, A.V. Stronski, N.V. Vuichyk, A.A. Gubanova, Ts.A. Krys’kov, P.F. Oleksenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2012. — Т. 15, № 2. — С. 152-156. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |