Стиль цитування APA (7-ме видання)

Dolgolenko, A., Varentsov, M., Gaidar, G., & Litovchenko, P. (2007). Dependence of the defect introduction rate on the dose of irradiation of p-Si by fast-pile neutrons. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Dolgolenko, A.P, M.D Varentsov, G.P Gaidar, та P.G Litovchenko. Dependence of the Defect Introduction Rate on the Dose of Irradiation of P-Si by Fast-pile Neutrons. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Dolgolenko, A.P, et al. Dependence of the Defect Introduction Rate on the Dose of Irradiation of P-Si by Fast-pile Neutrons. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2007.