Gaidar, G. (2014). Investigation of the influence of isovalent impurity of silicon and y-irradiation (⁶⁰Co) on electrophysical parameters of n-Ge <Sb>. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Gaidar, G.P. Investigation of the Influence of Isovalent Impurity of Silicon and Y-irradiation (⁶⁰Co) on Electrophysical Parameters of N-Ge <Sb>. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2014.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Gaidar, G.P. Investigation of the Influence of Isovalent Impurity of Silicon and Y-irradiation (⁶⁰Co) on Electrophysical Parameters of N-Ge <Sb>. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2014.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.