APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Vlasov, S., Saparov, F., & Ismailov, K. (2010). Effect of pressure on the characteristics of Schottky barrier diodes made of overcompensated semiconductor. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Vlasov, S.I, F.A Saparov, und K.A Ismailov. Effect of Pressure on the Characteristics of Schottky Barrier Diodes Made of Overcompensated Semiconductor. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2010.

MLA-Zitierstil (8. Ausg.)

Vlasov, S.I, et al. Effect of Pressure on the Characteristics of Schottky Barrier Diodes Made of Overcompensated Semiconductor. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2010.