Стиль цитування APA (7-ме видання)

Sachenko, A., Belyaev, A., Boltovets, N., Zhilyaev, Y., Kapitanchuk, L., Klad’ko, V., . . . Sheremet, V. (2012). Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Sachenko, A.V, et al. Investigation of Resistance Formation Mechanisms for Contacts to N-AlN and N-GaN with a High Dislocation Density. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Sachenko, A.V, et al. Investigation of Resistance Formation Mechanisms for Contacts to N-AlN and N-GaN with a High Dislocation Density. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2012.