APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Gaidar, G. (2009). On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Gaidar, G.P. On Methodology of Measuring Parameters with the Increased Sensitivity to Residual or Irradiation Induced Inhomogeneities in Semiconductors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.

MLA-Zitierstil (8. Ausg.)

Gaidar, G.P. On Methodology of Measuring Parameters with the Increased Sensitivity to Residual or Irradiation Induced Inhomogeneities in Semiconductors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.