APA (7th ed.) Citation

Gaidar, G. (2009). On methodology of measuring parameters with the increased sensitivity to residual or irradiation induced inhomogeneities in semiconductors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Gaidar, G.P. On Methodology of Measuring Parameters with the Increased Sensitivity to Residual or Irradiation Induced Inhomogeneities in Semiconductors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.

MLA (8th ed.) Citation

Gaidar, G.P. On Methodology of Measuring Parameters with the Increased Sensitivity to Residual or Irradiation Induced Inhomogeneities in Semiconductors. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2009.