Parameters of the energy spectrum for holes in CuInSe₂

Parameters of the energy spectrum for holes in CuInSe₂

This paper reports the coefficients Ca,b for the k-linear term in dispersion relation E(k) for holes of the upper valence bands Г⁻₆ and Г⁺₇ in p-CuInSe₂ crystals. We also obtained the tensor components for the carrier effective masses, in all three valence sub-bands of the model semiconductor. I...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2009
Автори: Gorley, P.М., Prokopenko, I.V., Galochkinа, О.О., Horley, P.P., Vorobiev, Yu.V., González-Hernández, J.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2009
Назва видання:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118881
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Parameters of the energy spectrum for holes in CuInSe₂ / P.М. Gorley, I.V. Prokopenko, О.О. Galochkinа, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 302-308. — Бібліогр.: 30 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси