Parameters of the energy spectrum for holes in CuInSe₂
This paper reports the coefficients Ca,b for the k-linear term in dispersion relation E(k) for holes of the upper valence bands Г⁻₆ and Г⁺₇ in p-CuInSe₂ crystals. We also obtained the tensor components for the carrier effective masses, in all three valence sub-bands of the model semiconductor. I...
Gespeichert in:
| Datum: | 2009 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2009
|
| Schriftenreihe: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/118881 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Parameters of the energy spectrum for holes in CuInSe₂ / P.М. Gorley, I.V. Prokopenko, О.О. Galochkinа, P.P. Horley, Yu.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2009. — Т. 12, № 3. — С. 302-308. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |