$Influence of absorption level on mechanisms of Braggdiffracted x-ray beam formation in real silicon crystals$

Influence of absorption level on mechanisms of Braggdiffracted x-ray beam formation in real silicon crystals

The methods of numerical calculations based on the formulae of the X-ray dynamic scattering theory by real crystals and of the Takagi-Topin equations were used for investigation of the basic regularities of inherent to the Bragg diffraction in conditions of a strong and weak absorption. The mechanis...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	1999
Автори:	Klad'ko, V. P., Grigoriev, D.O., Datsenko, L.I., Machulin, V.F., Prokopenko, I.V.
Формат:	Стаття
Мова:	English
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 1999
Назва видання:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Онлайн доступ:	http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119062
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Influence of absorption level on mechanisms of Braggdiffracted x-ray beam formation in real silicon crystals / V.P. Klad'ko, D.O. Grigoriev, L.I. Datsenko, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 1999. — Т. 2, № 1. — С. 157-162. — Бібліогр.: 19 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Complex diffractometrical investigation of structural and compositional irregularities in GaAs:Si/GaAs films heavily doped with silicon
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (2001)

Effect of neutron irradiation and doping level on defect structure formation in gallium arsenide crystals
за авторством: Seitmuratov, M.S., та інші
Опубліковано: (2002)

Divergent-beam X-ray structural studies of a disturbed surface layer in silicon plates
за авторством: Tkach, V.N.
Опубліковано: (2002)

The research of X-ray and gamma radiation absorption by layered structures
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)

Location of heavy elements by monochromatic X-ray beam
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2004)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al₂O₃ (0001) substrates
за авторством: Safriuk, N.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2010)

Double- and triple-crystal X-ray diffractometry of microdefects in silicon
за авторством: V. B. Molodkin, та інші
Опубліковано: (2010)

Morphology change of the silicon surface induced by Ar+ ion beam sputtering
за авторством: Kharchenko, V.O., та інші
Опубліковано: (2011)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2010)

Research on mechanical stress relaxation in real crystals by X-ray diffraction moire method
за авторством: V. P. Shafraniuk
Опубліковано: (2016)

Quasimonochromatic beam of parametric X-ray radiation for control of heavy elements
за авторством: Shchagin, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

The theory of the line profile based on the absorption of X-ray diffraction and its experimental demonstration
за авторством: Liu Kejia, та інші
Опубліковано: (2016)

Absorption edge of nanocrystalline cubic silicon carbide films
за авторством: Lopin, A.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Modeling of the signal propagation in real systems with finite interval and absorption
за авторством: Ju. G. Krivonos, та інші
Опубліковано: (2016)

X-ray absorption near edge spectroscopy of thermochromic phase transition in CuMoO₄
за авторством: Jonane, I., та інші
Опубліковано: (2018)

Electron beam purification of crystalline silicon
за авторством: V. A. Berezos
Опубліковано: (2013)

Structure perfection variations of Si crystals grown by Czochralski or floating zone methods after implantation of oxygen or neon atoms followed by annealing
за авторством: Datsenko, L.I., та інші
Опубліковано: (1999)

X-ray diffraction study of deformation state in InGaN/GaN multilayered structures
за авторством: V. P. Kladko, та інші
Опубліковано: (2010)

X-ray absorption near edge spectroscopy of thermochromic phase transition in CuMoO4
за авторством: I. Jonane, та інші
Опубліковано: (2018)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Formation and monitoring of secondary X-ray radiation under product processing with electron beam
за авторством: Pomatsalyuk, R.I., та інші
Опубліковано: (2021)

Studies of run-away electron beams and hard x-ray emission in ISTTOK tokamak
за авторством: Jakubowski, L., та інші
Опубліковано: (2011)

Effect of X-ray suppression system upon parameters of electrostatic accelerator ion beam
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2014)

Spectrometric registration of x-ray and gamma radiation by detecting modules “silicon planar detector - scintillator”
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2022)

Thermodonor activation energy and mechanisms of tensoeffects in transmutation-doped y-irradiated silicon
за авторством: Dotsenko, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2003)

Dynamical Theory of Triple-Crystal X-ray Diffractometry and Characterization of Microdefects and Strains in Imperfect Single Crystals
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2016)

On possibility of high frequency electron beam scanning with application of focusing system for X-ray generation
за авторством: Bondarenko, T.V.
Опубліковано: (2014)

Coarse rays
за авторством: Kuchaiev, O., та інші
Опубліковано: (2008)

Simulation of the real economy of the region
за авторством: V. P. Vyshnevskyi, та інші
Опубліковано: (2013)

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Refining of silicon using the method of electron beam melting
за авторством: V. A. Berezos, та інші
Опубліковано: (2009)

X-ray line spectrometry in experiments with the aluminium Z-pinch
за авторством: Anan’ev, S.S., та інші
Опубліковано: (2010)

Screen-printed p-CdTe layers for CdS/CdTe solar cells
за авторством: Klad'ko, V.P., та інші
Опубліковано: (2005)

Near resonant optical absorption by a system coupled with two laser beams
за авторством: A. S. Sizhuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Near resonant optical absorption by a system coupled with two laser beams
за авторством: A. S. Sizhuk, та інші
Опубліковано: (2020)

Features of Change of Micromechanical Characteristics of Silicon Stimulated by the Combined Action of both Magnetic Field and Low Doses of X-Rays
за авторством: L. P. Steblenko, та інші
Опубліковано: (2014)

Пам’яті Михайла Павловича Лисиці (15.01.1921−10.01.2012)
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2012)

Пам’яті Євгена Андрійовича Салькова
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)

V-та Українська наукова конференція з фізики напівпровідників
за авторством: Machulin, V.F.
Опубліковано: (2022)