On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
Exciton absorption spectra of layered InSe and GaSe crystals electrochemically intercalated by hydrogen were investigated. It was found that the observed at T = 80 K non-monotonic shift of the exciton absorption peak n = 1 with growing hydrogen concentration x (here x is the amount of hydrogen atoms...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2004
|
| Назва видання: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119208 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals / Yu.I. Zhirko, I.P. Zharkov, Z.D. Kovalyuk, M.M. Pyrlja, V.B. Boledzyuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2004. — Т. 7, № 4. — С. 404-410. — Бібліогр.: 22 назв. — англ. |