Agueev, O., & Svetlichny, A. (2001). The influence of heating temperature and sizes of components upon stresses and defect formation in semiconductor structures under isothermal heating. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Agueev, O.A, und A.M Svetlichny. The Influence of Heating Temperature and Sizes of Components upon Stresses and Defect Formation in Semiconductor Structures Under Isothermal Heating. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2001.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Agueev, O.A, und A.M Svetlichny. The Influence of Heating Temperature and Sizes of Components upon Stresses and Defect Formation in Semiconductor Structures Under Isothermal Heating. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2001.