Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана
Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефе...
Gespeichert in:
| Datum: | 2014 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2014
|
| Schriftenreihe: | Физика низких температур |
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
irk-123456789-119644 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| fulltext |
|
| spelling |
irk-123456789-1196442017-06-08T03:07:42Z Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока. Mетодом фотоелектричної релаксаційної спектроскопії досліджено нелеговані та леговані лантаном монокристали TlInS₂. Визначено характеристики електрично активних дефектів: переріз захоплення носіїв заряду, енергія термоактивації й інтервал температур змінення зарядового стану дефекту. Вивчено піроелектричні властивості TlInS₂:La. Встановлено дефект, відповідальний за аномалії піроструму. Undoped and La-doped TlInS₂ single crystals have been investigated by the photo-induced current transient spectroscopy (PICTS) method. The characteristics of electrically active defects such as capture cross-section, thermal activation energy and temperature interval of defect recharging have been determined. The pyroelectrical properties of TlInS₂:La have been investigated as well. The defect responsible for pyrocurrent anomalies has been established 2014 Article Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. 0132-6414 PACS 61.44.Fw, 77.80.B–, 77.80.–e http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644 ru Физика низких температур Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| language |
Russian |
| topic |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| spellingShingle |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана Физика низких температур |
| description |
Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока. |
| format |
Article |
| author |
Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. |
| author_facet |
Seyidov, М.Yu. Suleymanov, R.A. Acar, E. Одринский, А.П. Мамедов, Т.Г. Наджафов, А.И. Алиева, В.Б. |
| author_sort |
Seyidov, М.Yu. |
| title |
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_short |
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_full |
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_fullStr |
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_full_unstemmed |
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана |
| title_sort |
фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла tlins₂ в присутствии примесей лантана |
| publisher |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України |
| publishDate |
2014 |
| topic_facet |
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках |
| url |
http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644 |
| citation_txt |
Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос. |
| series |
Физика низких температур |
| work_keys_str_mv |
AT seyidovmyu fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT suleymanovra fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT acare fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT odrinskijap fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT mamedovtg fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT nadžafovai fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana AT alievavb fotoélektričeskaâaktivnostʹdefektovsloistogokristallatlins2vprisutstviiprimesejlantana |
| first_indexed |
2025-07-08T16:19:33Z |
| last_indexed |
2025-07-08T16:19:33Z |
| _version_ |
1837096316556017664 |