Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана - Seyidov, М.Yu.; Suleymanov, R.A.; Acar, E.; Одринский, А.П.; Мамедов, Т.Г.; Наджафов, А.И.; Алиева, В.Б. (Физика низких температур, 2014)
Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефекта. Изучены пироэлектрические свойства TlInS₂:La. Установлен дефект, ответственный за аномалии пиротока.