Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана

Mетодом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии исследованы нелегированные и легированные лантаном монокристаллы TlInS₂. Определены характеристики электрически активных дефектов: сечение захвата носителей заряда, энергия термоактивации и интервал температур изменения зарядового состояния дефе...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2014
Main Authors: Seyidov, М.Yu., Suleymanov, R.A., Acar, E., Одринский, А.П., Мамедов, Т.Г., Наджафов, А.И., Алиева, В.Б.
Format: Article
Language:Russian
Published: Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України 2014
Series:Физика низких температур
Subjects:
Квантовые эффекты в полупpоводниках и диэлектриках
Online Access:http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/119644
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Фотоэлектрическая активность дефектов слоистого кристалла TlInS₂ в присутствии примесей лантана / М. Yu. Seyidov, R.A. Suleymanov, E. Acar, А.П. Одринский, Т.Г. Мамедов, А.И. Наджафов, В.Б. Алиева // Физика низких температур. — 2014. — Т. 40, № 9. — С. 1062-1070. — Бібліогр.: 29 назв. — рос.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Similar Items

Similar Items