Kanishchev, V. (2013). The increase of crystal growing rate without damaging the smoothness of interface border. НТК «Інститут монокристалів» НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Kanishchev, V.N. The Increase of Crystal Growing Rate Without Damaging the Smoothness of Interface Border. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2013.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Kanishchev, V.N. The Increase of Crystal Growing Rate Without Damaging the Smoothness of Interface Border. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2013.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.