Kanishchev, V. (2013). The increase of crystal growing rate without damaging the smoothness of interface border. НТК «Інститут монокристалів» НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Kanishchev, V.N. The Increase of Crystal Growing Rate Without Damaging the Smoothness of Interface Border. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2013.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Kanishchev, V.N. The Increase of Crystal Growing Rate Without Damaging the Smoothness of Interface Border. НТК «Інститут монокристалів» НАН України, 2013.
Achtung: Diese Zitate sind unter Umständen nicht zu 100% korrekt.