Izhnin, I., Bogoboyashchyy, V., Kurbanov, K., Mynbaev, K., & Ryabikov, V. (2005). Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Izhnin, I.I, V.V Bogoboyashchyy, K.R Kurbanov, K.D Mynbaev, та V.M Ryabikov. Effect of Internal Electrical Field on Compositional Dependence of P-n Junction Depth in Ion Milled P-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Izhnin, I.I, et al. Effect of Internal Electrical Field on Compositional Dependence of P-n Junction Depth in Ion Milled P-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.