Izhnin, I., Bogoboyashchyy, V., Kurbanov, K., Mynbaev, K., & Ryabikov, V. (2005). Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Izhnin, I.I, V.V Bogoboyashchyy, K.R Kurbanov, K.D Mynbaev, und V.M Ryabikov. Effect of Internal Electrical Field on Compositional Dependence of P-n Junction Depth in Ion Milled P-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Izhnin, I.I, et al. Effect of Internal Electrical Field on Compositional Dependence of P-n Junction Depth in Ion Milled P-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.