APA (7th ed.) Citation

Izhnin, I., Bogoboyashchyy, V., Kurbanov, K., Mynbaev, K., & Ryabikov, V. (2005). Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago Style (17th ed.) Citation

Izhnin, I.I, V.V Bogoboyashchyy, K.R Kurbanov, K.D Mynbaev, and V.M Ryabikov. Effect of Internal Electrical Field on Compositional Dependence of P-n Junction Depth in Ion Milled P-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.

MLA (8th ed.) Citation

Izhnin, I.I, et al. Effect of Internal Electrical Field on Compositional Dependence of P-n Junction Depth in Ion Milled P-CdxHg₁₋xTe. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.