Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga)
Импеданс монокристаллических образцов PbTe(Ga) и Pb₁₋xGexTe(Ga) (0 ≤x ≤0,095) исследован в диапазоне частот от 10² до 10⁶ Гц в интервале температур 4,2–300 К. На температурных зависимостях емкости во всех исследованных образцах Pb₁₋xGexTe(Ga) наблюдалось два типа особенностей. Это ярко выражен...
Gespeichert in:
Datum: | 2004 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , , , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2004
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120325 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | Неравновесные процессы и сегнетоэлектрический фазовый переход в кристаллах PbGeTe(Ga) / Б.А. Акимов, В.В. Прядун, Л.И. Рябова, Е.И. Слынько, Д.Р. Хохлов, В.И. Штанов // Физика низких температур. — 2004. — Т. 30, № 11. — С. 1209–1213. — Бібліогр.: 9 назв. — рос. |