Hodovaniouk, V., Doktorovych, I., Butenko, V., Yuryev, V., & Dobrovolsky, Y. (2005). Silicon photodiode and preamplifier operation characteristic properties under background radiation conditions. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)Hodovaniouk, V.M, I.V Doktorovych, V.K Butenko, V.H Yuryev, und Yu.G Dobrovolsky. Silicon Photodiode and Preamplifier Operation Characteristic Properties Under Background Radiation Conditions. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
MLA-Zitierstil (8. Ausg.)Hodovaniouk, V.M, et al. Silicon Photodiode and Preamplifier Operation Characteristic Properties Under Background Radiation Conditions. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.