Borblik, V. L., Shwarts, Y. M., & Shwarts, M. M. (2005). Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Borblik, V. L., Yu. M. Shwarts, та M. M. Shwarts. Revealing the Hopping Mechanism of Conduction in Heavily Doped Silicon Diodes. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Borblik, V. L., et al. Revealing the Hopping Mechanism of Conduction in Heavily Doped Silicon Diodes. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.