Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами
Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в точке зоны Бриллюэна кр...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Russian |
| Опубліковано: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
| Назва видання: | Физика низких температур |
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120942 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Аномалия магнитной восприимчивости в виде ступеньки в кристаллах с вырожденными электронными энергетическими зонами / Г.П. Микитик // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1104–1108. — Бібліогр.: 12 назв. — рос. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| Резюме: | Показано, что зависимость магнитной восприимчивости электронов в кристалле от их химического
потенциала может иметь вид резкой ступеньки. Эта необычная аномалия магнитной восприимчивости
возможна только при определенном типе вырождения двух электронных энергетических зон в
точке зоны Бриллюэна кристалла, и если химический потенциал находится в окрестности энергии вырождения.
В частности, такое вырождение зон имеет место в кристаллах со структурой А-15 (например,
в V₃Si). Полученные результаты могут быть использованы для объяснения сильных температурных
зависимостей магнитной восприимчивости, наблюдаемых в сверхпроводящих материалах с этой
структурой в нормальном состоянии. |
|---|