О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник
При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на сверхпроводящем потенциале,...
Gespeichert in:
Datum: | 2007 |
---|---|
1. Verfasser: | |
Format: | Artikel |
Sprache: | Russian |
Veröffentlicht: |
Фізико-технічний інститут низьких температур ім. Б.І. Вєркіна НАН України
2007
|
Schriftenreihe: | Физика низких температур |
Schlagworte: | |
Online Zugang: | http://dspace.nbuv.gov.ua/handle/123456789/120953 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
Zitieren: | О страйповом механизме отражений электрона и дырки от границы нормальный металл-недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник / Г.Г. Сергеева // Физика низких температур. — 2007. — Т. 33, № 10. — С. 1087–1090. — Бібліогр.: 13 назв. — рос. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineZusammenfassung: | При T < Tc исследован процесс отражений электрона и дырки от границы нормальный металл
недостаточно допированный высокотемпературный сверхпроводник (НД ВТСП), наблюдаемых
Г. Дойтсчером и др. на точечном N/S контакте. В дополнение к известному механизму отражений на
сверхпроводящем потенциале, развитому Андреевым, де Женном и Сент-Джеймсом для контакта металл
низкотемпературный сверхпроводник, предложен страйповый механизм отражений, приводящий
к полному циклу с двумя отражениями электрона и дырки от внешней границы нормального металла.
Показано, что к таким отражениям приводят ионы меди в страйпах CuO₂ - плоскости в точечном
контакте: ионы меди в D-страйпах поглощают и испускают в металл только электроны, а в U-страйпах
только дырки. При T < Tc на расстоянии от границы металл НД ВТСП, равном длине когерентности,
в D- и U-страйпах N/S контакта должны наблюдаться локальные флуктуации антиферромагнитного
(АФМ) упорядочения ионов меди: при поглощении электрона локальный АФМ порядок в страйпах
N/S контакта восстанавливается, при поглощении дырки нарушается. Уход электронов и дырок из
страйпов CuO₂ -плоскости НД ВТСП в нормальный металл свидетельствует о несовместимости этих
носителей заряда с локальным АФМ упорядочением двухвалентных ионов меди в CuO₂ - плоскости. |
---|