APA-Zitierstil (7. Ausg.)

Gutsulyak, B., Oliynych-Lysyuk, A., & Fodchuk, I. (2005). Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Chicago-Zitierstil (17. Ausg.)

Gutsulyak, B.I, A.V Oliynych-Lysyuk, und I.M Fodchuk. Character of Elastic Energy Absorption in Well Developed Genetic-impurity Defect Structure in Monocrystalline Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.

MLA-Zitierstil (8. Ausg.)

Gutsulyak, B.I, et al. Character of Elastic Energy Absorption in Well Developed Genetic-impurity Defect Structure in Monocrystalline Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.