Gutsulyak, B., Oliynych-Lysyuk, A., & Fodchuk, I. (2005). Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.
Chicago Style (17th ed.) CitationGutsulyak, B.I, A.V Oliynych-Lysyuk, and I.M Fodchuk. Character of Elastic Energy Absorption in Well Developed Genetic-impurity Defect Structure in Monocrystalline Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
MLA (8th ed.) CitationGutsulyak, B.I, et al. Character of Elastic Energy Absorption in Well Developed Genetic-impurity Defect Structure in Monocrystalline Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.
Warning: These citations may not always be 100% accurate.