Стиль цитування APA (7-ме видання)

Gutsulyak, B., Oliynych-Lysyuk, A., & Fodchuk, I. (2005). Character of elastic energy absorption in well developed genetic-impurity defect structure in monocrystalline silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України.

Чикаго стиль цитування (17-те видання)

Gutsulyak, B.I, A.V Oliynych-Lysyuk, та I.M Fodchuk. Character of Elastic Energy Absorption in Well Developed Genetic-impurity Defect Structure in Monocrystalline Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.

Стиль цитування MLA (8-ме видання)

Gutsulyak, B.I, et al. Character of Elastic Energy Absorption in Well Developed Genetic-impurity Defect Structure in Monocrystalline Silicon. Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, 2005.